DMN15H310SE-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN15H310SE-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
Datenblätte:	DMN15H310SE-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	69188 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69188 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.481

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Spezifikationen von DMN15H310SE-13

Artikelnummer	DMN15H310SE-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	69188 pcs	Datenblatt	DMN15H310SE-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-223
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	1.9W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	Andere Namen	DMN15H310SE-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 150V 2A (Ta), 7.1A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount SOT-223	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta), 7.1A (Tc)

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