DMN2028UFDF-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN2028UFDF-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6
Datenblätte:	DMN2028UFDF-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	685441 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 685441 pcs

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Spezifikationen von DMN2028UFDF-7

Artikelnummer	DMN2028UFDF-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	685441 pcs	Datenblatt	DMN2028UFDF-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	U-DFN2020-6 (Type F)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)	660mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-UDFN Exposed Pad	Andere Namen	DMN2028UFDF-7DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	907pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 8V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.9A (Ta)

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