DMN2028UVT-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN2028UVT-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Datenblätte:	DMN2028UVT-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	875118 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 875118 pcs

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Spezifikationen von DMN2028UVT-13

Artikelnummer	DMN2028UVT-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	875118 pcs	Datenblatt	DMN2028UVT-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	DMN2028UVT-13DI
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	856pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.2A (Ta)

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