DMN3018SSD-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN3018SSD-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Datenblätte:	DMN3018SSD-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	505691 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 505691 pcs

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Spezifikationen von DMN3018SSD-13

Artikelnummer	DMN3018SSD-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	505691 pcs	Datenblatt	DMN3018SSD-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max	1.5W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DMN3018SSD-13DITR DMN3018SSD13
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	697pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.7A

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