DMN61D8LVT-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN61D8LVT-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Datenblätte:	DMN61D8LVT-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	149643 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149643 pcs

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Spezifikationen von DMN61D8LVT-13

Artikelnummer	DMN61D8LVT-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	149643 pcs	Datenblatt	DMN61D8LVT-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Leistung - max	820mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	DMN61D8LVT-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	630mA

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