DMN61D9U-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN61D9U-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Datenblätte:	DMN61D9U-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1511524 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1511524 pcs

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Spezifikationen von DMN61D9U-13

Artikelnummer	DMN61D9U-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1511524 pcs	Datenblatt	DMN61D9U-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Verlustleistung (max)	370mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	DMN61D9U-13DI
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	28.5pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	380mA (Ta)

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