DMN63D8LV-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN63D8LV-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Datenblätte:	DMN63D8LV-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	249273 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 249273 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.144

10 pcs: $0.13

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Spezifikationen von DMN63D8LV-7

Artikelnummer	DMN63D8LV-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	249273 pcs	Datenblatt	DMN63D8LV-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SOT-563
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Leistung - max	450mW	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666	Andere Namen	DMN63D8LV-7DIDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 260mA 450mW Surface Mount SOT-563
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	260mA	Basisteilenummer	DMN63D8L

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