DMN63D8LW-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN63D8LW-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
Datenblätte:	DMN63D8LW-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2924819 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2924819 pcs

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Spezifikationen von DMN63D8LW-13

Artikelnummer	DMN63D8LW-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2924819 pcs	Datenblatt	DMN63D8LW-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-323
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Verlustleistung (max)	300mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	DMN63D8LW-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	23.2pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.9nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 380mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	380mA (Ta)

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