DMN67D8LDW-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN67D8LDW-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Datenblätte:	DMN67D8LDW-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	963340 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 963340 pcs

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Artikelnummer	DMN67D8LDW-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	963340 pcs	Datenblatt	DMN67D8LDW-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Leistung - max	320mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.82nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	230mA

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