DMN7022LFGQ-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN7022LFGQ-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
Datenblätte:	DMN7022LFGQ-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	210192 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 210192 pcs

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Artikelnummer	DMN7022LFGQ-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	210192 pcs	Datenblatt	DMN7022LFGQ-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.2A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2737pF @ 35V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 75V 23A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	23A (Tc)

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