DMN90H8D5HCTI

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN90H8D5HCTI
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Datenblätte:	DMN90H8D5HCTI.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	74520 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74520 pcs

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Spezifikationen von DMN90H8D5HCTI

Artikelnummer	DMN90H8D5HCTI	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	74520 pcs	Datenblatt	DMN90H8D5HCTI.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ITO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	30W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 900V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A (Tc)

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