DMT10H010LCT

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT10H010LCT
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V TO220AB
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	51581 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51581 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.65

50 pcs: $0.525

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Spezifikationen von DMT10H010LCT

Artikelnummer	DMT10H010LCT	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	51581 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 139W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	DMT10H010LCTDI
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	98A (Tc)

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