DMT10H015LCG-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT10H015LCG-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Datenblätte:	DMT10H015LCG-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	222701 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 222701 pcs

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Spezifikationen von DMT10H015LCG-13

Artikelnummer	DMT10H015LCG-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	222701 pcs	Datenblatt	DMT10H015LCG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	V-DFN3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-VDFN Exposed Pad	Betriebstemperatur	-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.4A (Ta), 34A (Tc)

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