DMT10H025SSS-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT10H025SSS-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFETN-CHAN 100V SO-8
Datenblätte:	DMT10H025SSS-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	396932 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 396932 pcs

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Spezifikationen von DMT10H025SSS-13

Artikelnummer	DMT10H025SSS-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFETN-CHAN 100V SO-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	396932 pcs	Datenblatt	DMT10H025SSS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	1.4W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DMT10H025SSS-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1544pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.4nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 7.4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.4A (Ta)

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