DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT10H015LK3-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Datenblätte:	DMT10H015LK3-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	65608 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65608 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.467

10 pcs: $0.413

100 pcs: $0.326

500 pcs: $0.253

1000 pcs: $0.20

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Spezifikationen von DMT10H015LK3-13

Artikelnummer	DMT10H015LK3-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	65608 pcs	Datenblatt	DMT10H015LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.9W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	DMT10H015LK3-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 50A (Tc) 2.9W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)

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