ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMHN6A07T8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Datenblätte:	ZXMHN6A07T8TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	15979 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15979 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.984

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Artikelnummer	ZXMHN6A07T8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	15979 pcs	Datenblatt	ZXMHN6A07T8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SM8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Leistung - max	1.6W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SOT-223-8	Andere Namen	1034-ZXMHN6A07T8CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	166pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 10V
Typ FET	4 N-Channel (H-Bridge)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.4A

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