ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN10A08DN8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Datenblätte:	ZXMN10A08DN8TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	85095 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von ZXMN10A08DN8TA

Artikelnummer	ZXMN10A08DN8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	85095 pcs	Datenblatt	ZXMN10A08DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 3.2A, 10V
Leistung - max	1.25W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXMN10A08DN8TACT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.6A

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