ZXMN10A08GTA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN10A08GTA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Datenblätte:	ZXMN10A08GTA.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	315251 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 315251 pcs

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Spezifikationen von ZXMN10A08GTA

Artikelnummer	ZXMN10A08GTA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 2A SOT223	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	315251 pcs	Datenblatt	ZXMN10A08GTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-223
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	Andere Namen	ZXMN10A08G ZXMN10A08GTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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