ZXMN3A01ZTA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN3A01ZTA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
Datenblätte:	ZXMN3A01ZTA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	152005 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 152005 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von ZXMN3A01ZTA

Artikelnummer	ZXMN3A01ZTA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	152005 pcs	Datenblatt	ZXMN3A01ZTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-89
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	970mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-243AA	Andere Namen	ZXMN3A01ZTADIDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	186pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 2.2A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount SOT-89	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.2A (Ta)

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