ZXMN3A02X8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN3A02X8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
Datenblätte:	ZXMN3A02X8TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4080 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4080 pcs

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Spezifikationen von ZXMN3A02X8TA

Artikelnummer	ZXMN3A02X8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4080 pcs	Datenblatt	ZXMN3A02X8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-MSOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	1.1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Andere Namen	ZXMN3A02X8TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.3A (Ta)

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