ZXMN6A10N8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN6A10N8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	6002 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6002 pcs

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Spezifikationen von ZXMN6A10N8TA

Artikelnummer	ZXMN6A10N8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	6002 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	-	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SO	Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	Verlustleistung (max)	-
Verpackung	Original-Reel®	Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	ZXMN6A10N8DKR	Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-

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Nach dem Verkauf
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