ZXMN6A11DN8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN6A11DN8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Datenblätte:	ZXMN6A11DN8TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	208984 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 208984 pcs

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Artikelnummer	ZXMN6A11DN8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	208984 pcs	Datenblatt	ZXMN6A11DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Leistung - max	1.8W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXMN6A11DN8TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A

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