ZXMNS3BM832TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMNS3BM832TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Datenblätte:	ZXMNS3BM832TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3385 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3385 pcs

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Spezifikationen von ZXMNS3BM832TA

Artikelnummer	ZXMNS3BM832TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3385 pcs	Datenblatt	ZXMNS3BM832TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP, MicroFET (3x2)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-VDFN Exposed Pad	Andere Namen	ZXMNS3BM832DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	314pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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