ZXMP10A17E6QTA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMP10A17E6QTA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
Datenblätte:	ZXMP10A17E6QTA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	252804 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 252804 pcs

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Artikelnummer	ZXMP10A17E6QTA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	252804 pcs	Datenblatt	ZXMP10A17E6QTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-26
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 1.4A, 10V
Verlustleistung (max)	1.1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6	Andere Namen	ZXMP10A17E6QTADITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	424pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.7nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.3A (Ta)

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