IXFB120N50P2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFB120N50P2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Datenblätte:	IXFB120N50P2.pdf
RoHS Status	Bleifrei durch Ausnahmen / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3908 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3908 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $8.405

25 pcs: $7.069

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Spezifikationen von IXFB120N50P2

Artikelnummer	IXFB120N50P2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei durch Ausnahmen / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3908 pcs	Datenblatt	IXFB120N50P2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PLUS264™
Serie	HiPerFET™, PolarHV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	1890W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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