IXFB210N20P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFB210N20P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Datenblätte:	IXFB210N20P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4712 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4712 pcs

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Spezifikationen von IXFB210N20P

Artikelnummer	IXFB210N20P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4712 pcs	Datenblatt	IXFB210N20P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PLUS264™
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 105A, 10V
Verlustleistung (max)	1500W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	18600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	255nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 210A (Tc) 1500W (Tc) Through Hole PLUS264™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	210A (Tc)

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