IXTP90N055T2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTP90N055T2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
Datenblätte:	IXTP90N055T2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	57984 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57984 pcs

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Artikelnummer	IXTP90N055T2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 90A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	57984 pcs	Datenblatt	IXTP90N055T2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	TrenchT2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 90A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)

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