IXTQ100N25P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTQ100N25P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
Datenblätte:	IXTQ100N25P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	10501 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10501 pcs

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Spezifikationen von IXTQ100N25P

Artikelnummer	IXTQ100N25P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	10501 pcs	Datenblatt	IXTQ100N25P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-3P
Serie	PolarHT™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	600W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 250V 100A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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