DTC115TMT2L

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC115TMT2L
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Datenblätte:	1.DTC115TMT2L.pdf 2.DTC115TMT2L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1721880 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1721880 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

8000 pcs: $0.017

16000 pcs: $0.014

24000 pcs: $0.013

56000 pcs: $0.013

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Spezifikationen von DTC115TMT2L

Artikelnummer	DTC115TMT2L	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1721880 pcs	Datenblatt	1.DTC115TMT2L.pdf 2.DTC115TMT2L.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100µA, 1mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	VMT3
Serie	-	Widerstand - Basis (R1)	100 kOhms
Leistung - max	150mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-723	Andere Namen	4823-30680-212 DTC115TMT2L-ND DTC115TMT2LTR Q2976642
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Basisteilenummer	DTC115

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