DTC123ECAT116

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC123ECAT116
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Datenblätte:	1.DTC123ECAT116.pdf 2.DTC123ECAT116.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2035632 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2035632 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von DTC123ECAT116

Artikelnummer	DTC123ECAT116	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2035632 pcs	Datenblatt	1.DTC123ECAT116.pdf 2.DTC123ECAT116.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SST3
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	2.2 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	DTC123ECAMGT116 DTC123ECAT116TR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	20 @ 20mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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