HP8K22TB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HP8K22TB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
Datenblätte:	1.HP8K22TB.pdf 2.HP8K22TB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	67195 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67195 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.495

10 pcs: $0.44

100 pcs: $0.348

500 pcs: $0.27

1000 pcs: $0.213

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Spezifikationen von HP8K22TB

Artikelnummer	HP8K22TB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	30V NCH+NCH MID POWER MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	67195 pcs	Datenblatt	1.HP8K22TB.pdf 2.HP8K22TB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	8-HSOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max	25W	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	HP8K22TBDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	27A, 57A

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