R6030KNZ1C9

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	R6030KNZ1C9
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Datenblätte:	R6030KNZ1C9.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	22172 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22172 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.436

10 pcs: $1.282

100 pcs: $1.052

500 pcs: $0.852

1000 pcs: $0.718

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Spezifikationen von R6030KNZ1C9

Artikelnummer	R6030KNZ1C9	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	22172 pcs	Datenblatt	R6030KNZ1C9.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max)	305W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	R6030KNZ1C9TR R6030KNZ1C9TR-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2350pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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