R6030MNX

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	R6030MNX
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Datenblätte:	R6030MNX.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	15886 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15886 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.241

10 pcs: $1.999

100 pcs: $1.639

500 pcs: $1.328

1000 pcs: $1.12

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Spezifikationen von R6030MNX

Artikelnummer	R6030MNX	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	15886 pcs	Datenblatt	R6030MNX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FM
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	90W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 30A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220FM	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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