RRH050P03GZETB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RRH050P03GZETB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Datenblätte:	RRH050P03GZETB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	99461 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 99461 pcs

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Artikelnummer	RRH050P03GZETB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	99461 pcs	Datenblatt	RRH050P03GZETB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	650mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	RRH050P03GZETBCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5A (Ta)
Basisteilenummer	RRH050P03

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