RUF020N02TL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RUF020N02TL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Datenblätte:	1.RUF020N02TL.pdf 2.RUF020N02TL.pdf 3.RUF020N02TL.pdf 4.RUF020N02TL.pdf 5.RUF020N02TL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	156655 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156655 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.211

10 pcs: $0.165

100 pcs: $0.114

500 pcs: $0.078

1000 pcs: $0.058

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Spezifikationen von RUF020N02TL

Artikelnummer	RUF020N02TL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	156655 pcs	Datenblatt	1.RUF020N02TL.pdf 2.RUF020N02TL.pdf 3.RUF020N02TL.pdf 4.RUF020N02TL.pdf 5.RUF020N02TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TUMT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	320mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	3-SMD, Flat Leads	Andere Namen	RUF020N02TLCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 2A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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Nach dem Verkauf
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