SCT2H12NYTB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SCT2H12NYTB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Datenblätte:	1.SCT2H12NYTB.pdf 2.SCT2H12NYTB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	13709 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13709 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.318

10 pcs: $2.07

25 pcs: $1.863

100 pcs: $1.697

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Spezifikationen von SCT2H12NYTB

Artikelnummer	SCT2H12NYTB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	13709 pcs	Datenblatt	1.SCT2H12NYTB.pdf 2.SCT2H12NYTB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 410µA	Vgs (Max)	+22V, -6V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-268
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Verlustleistung (max)	44W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Andere Namen	SCT2H12NYTBCT
Betriebstemperatur	175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	184pF @ 800V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 18V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1700V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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TNT	www.TNT.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.

★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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