SCT3030KLGC11

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SCT3030KLGC11
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Datenblätte:	1.SCT3030KLGC11.pdf 2.SCT3030KLGC11.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1206 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1206 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Artikelnummer	SCT3030KLGC11	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1206 pcs	Datenblatt	1.SCT3030KLGC11.pdf 2.SCT3030KLGC11.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.6V @ 13.3mA	Vgs (Max)	+22V, -4V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247N
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 27A, 18V
Verlustleistung (max)	339W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2222pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	131nC @ 18V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	72A (Tc)

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