UMD12NTR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	UMD12NTR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Datenblätte:	1.UMD12NTR.pdf 2.UMD12NTR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1083366 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1083366 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.032

6000 pcs: $0.03

15000 pcs: $0.027

30000 pcs: $0.026

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Spezifikationen von UMD12NTR

Artikelnummer	UMD12NTR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1083366 pcs	Datenblatt	1.UMD12NTR.pdf 2.UMD12NTR.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	UMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Basisteilenummer	MD12

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