UMD3NTR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	UMD3NTR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Datenblätte:	1.UMD3NTR.pdf 2.UMD3NTR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	174496 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 174496 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.20

10 pcs: $0.144

25 pcs: $0.112

100 pcs: $0.085

250 pcs: $0.06

500 pcs: $0.048

1000 pcs: $0.037

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Spezifikationen von UMD3NTR

Artikelnummer	UMD3NTR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	174496 pcs	Datenblatt	1.UMD3NTR.pdf 2.UMD3NTR.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	UMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	UMD3NCT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	*MD3

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