APT102GA60B2

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT102GA60B2
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT 600V 183A 780W TO247
Datenblätte:	APT102GA60B2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5795 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5795 pcs

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Spezifikationen von APT102GA60B2

Artikelnummer	APT102GA60B2	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 600V 183A 780W TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5795 pcs	Datenblatt	APT102GA60B2.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 62A
Testbedingung	400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	28ns/212ns
Schaltenergie	1.354mJ (on), 1.614mJ (off)	Serie	POWER MOS 8™
Leistung - max	780W	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3 Variant	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	PT	Gate-Ladung	294nC
detaillierte Beschreibung	IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole	Strom - Collector Pulsed (Icm)	307A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	183A

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