APT10M07JVR

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT10M07JVR
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Datenblätte:	APT10M07JVR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5829 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5829 pcs

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Spezifikationen von APT10M07JVR

Artikelnummer	APT10M07JVR	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5829 pcs	Datenblatt	APT10M07JVR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOTOP®
Serie	POWER MOS V®	Verlustleistung (max)	700W (Tc)
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	21600pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1050nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	225A (Tc)

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