APT11F80S

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT11F80S
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Datenblätte:	APT11F80S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4736 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4736 pcs

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Spezifikationen von APT11F80S

Artikelnummer	APT11F80S	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4736 pcs	Datenblatt	APT11F80S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D3Pak
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	337W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2471pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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