APT11N80KC3G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT11N80KC3G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Datenblätte:	APT11N80KC3G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3131 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3131 pcs

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Spezifikationen von APT11N80KC3G

Artikelnummer	APT11N80KC3G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 11A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3131 pcs	Datenblatt	APT11N80KC3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.9V @ 680µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 [K]
Serie	CoolMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 7.1A, 10V
Verlustleistung (max)	156W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	APT11N80KC3GMI APT11N80KC3GMI-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1585pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K]	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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