APT29F100L

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT29F100L
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
Datenblätte:	APT29F100L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3217 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3217 pcs

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Spezifikationen von APT29F100L

Artikelnummer	APT29F100L	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 30A TO264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3217 pcs	Datenblatt	APT29F100L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	460 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	1040W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Andere Namen	APT29F100LMI APT29F100LMI-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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