APT29F80J

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT29F80J
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Datenblätte:	1.APT29F80J.pdf 2.APT29F80J.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2741 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2741 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von APT29F80J

Artikelnummer	APT29F80J	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2741 pcs	Datenblatt	1.APT29F80J.pdf 2.APT29F80J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOTOP®
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max)	543W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9326pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	303nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	31A (Tc)

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