APT97N65LC6

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT97N65LC6
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
Datenblätte:	APT97N65LC6.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5721 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5721 pcs

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Spezifikationen von APT97N65LC6

Artikelnummer	APT97N65LC6	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 97A TO-264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5721 pcs	Datenblatt	APT97N65LC6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 2.96mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264 [L]
Serie	CoolMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 48.5A, 10V
Verlustleistung (max)	862W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 97A (Tc) 862W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	97A (Tc)

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