APT9F100B

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT9F100B
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Datenblätte:	1.APT9F100B.pdf 2.APT9F100B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	17077 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17077 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von APT9F100B

Artikelnummer	APT9F100B	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	17077 pcs	Datenblatt	1.APT9F100B.pdf 2.APT9F100B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	337W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2606pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)

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