APTM50DAM17G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM50DAM17G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Datenblätte:	1.APTM50DAM17G.pdf 2.APTM50DAM17G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	771 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 771 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $42.453

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Spezifikationen von APTM50DAM17G

Artikelnummer	APTM50DAM17G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 180A SP6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	771 pcs	Datenblatt	1.APTM50DAM17G.pdf 2.APTM50DAM17G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SP6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (max)	1250W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP6	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	28000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 180A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)

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