APTM50DDAM65T3G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM50DDAM65T3G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Datenblätte:	1.APTM50DDAM65T3G.pdf 2.APTM50DDAM65T3G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1568 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1568 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $21.115

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Spezifikationen von APTM50DDAM65T3G

Artikelnummer	APTM50DDAM65T3G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1568 pcs	Datenblatt	1.APTM50DDAM65T3G.pdf 2.APTM50DDAM65T3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 25.5A, 10V
Leistung - max	390W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP3	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	51A

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