APTM60A11FT1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM60A11FT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Datenblätte:	1.APTM60A11FT1G.pdf 2.APTM60A11FT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2208 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2208 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $13.133

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Spezifikationen von APTM60A11FT1G

Artikelnummer	APTM60A11FT1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2208 pcs	Datenblatt	1.APTM60A11FT1G.pdf 2.APTM60A11FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	132 mOhm @ 33A, 10V
Leistung - max	390W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1	Andere Namen	APTM60A11UT1G APTM60A11UT1G-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10552pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A

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